科研團隊將這款具有劃時代意義的布全比傳百萬倍存儲器命名為“破曉”。從外觀上看，球最“破曉”僅有1平方厘米大小，快存可存與普通存儲器並無明顯差異，儲器存快但它卻蘊含著巨大的每秒能量。通過創新的億次物理機製，“破曉”將存儲器擦寫速度提升至400皮秒實現一次擦或者寫，統閃一皮秒僅相當於一萬億分之一秒。布全比傳百萬倍這一驚人的球最速度意味著“破曉”每秒可執行25億次操作，比傳統閃存快一百萬倍。快存可存複旦大學集成芯片與係統全國重點實驗室研究員劉春森表示，儲器存快這一速度的每秒提升極具突破性，完全打破了現有存儲技術框架的億次理論瓶頸。傳統存儲技術在速度上一直受到諸多限製，統閃而“破曉”的布全比傳百萬倍出現，為存儲技術的發展開辟了新的道路。展開全文傳統的閃存技術是一種非易失性存儲技術，能夠在沒有電源供應的情況下保留數據。它利用浮置柵極存儲電子的方式來保存數據，通過特定的電壓操作實現數據的寫入、讀取和擦除。閃存技術廣泛應用於各種電子設備中，如智能手機、USB閃存驅動器、固態硬盤等。相較於傳統機械硬盤，閃存具有更快的讀寫速度和更高的存儲密度，但通常按塊擦除，且擦寫次數有限。複旦大學團隊科研人員提出了全新的提速思路，即在半導體電荷存儲方麵開辟新的路徑，這一創新不僅實現了速度上的巨大飛躍，還賦予了新型存儲器獨特的優勢——在掉電的情況下，數據也不會丟失。這一特性使得“破曉”在實際應用中更加可靠和穩定。簡單來說，半導體電荷存儲技術是一種利用半導體材料存儲電荷以表示數據的技術。其中，電荷的有無或多少可用來表示二進製數據。其具有比傳統閃存快的多的速度優勢，且數據掉電不丟失，有望解決AI計算中的存儲瓶頸問題。目前，這一全新成果距離轉化為商業應用並不遙遠。科研團隊在研發過程中就與生產企業展開了深度合作，目前已經與生產廠家合作進行了流片驗證，並且已經能夠實現小規模的全功能的芯片流片。劉春森研究員透露，下一步將嚐試把“破曉”集成到現有的手機和電腦中。一旦實現，手機和電腦在部署本地模型時，將再也不會遇到卡頓、發熱等現有存儲技術帶來的瓶頸問題。在人工智能蓬勃發展的當下，存儲技術的瓶頸日益凸顯。專家介紹，人工智能大模型的計算主要依賴GPU顯卡芯片，目前主流的商用GPU芯片已經可以實現每秒33.5萬億次浮點運算，然而與之配套的存儲器的寫入或者擦除一次的速度卻仍停留在微秒級別。這種速度上的不匹配，嚴重製約了人工智能計算的發展。而複旦大學“破曉”存儲器的出現，正好可以應對GPU芯片高速運算的需求。它能夠為人工智能計算提供高速、穩定的存儲支持，加速人工智能模型的訓練和推理過程，提高計算效率。未來，“破曉”技術有望在人工智能計算、大數據處理、物聯網等多個領域發揮巨大作用。在人工智能領域，高速的存儲技術可以加快模型的迭代更新，使智能係統能夠更快地學習和適應新的數據和任務。在大數據處理方麵，能夠更高效地存儲和處理海量數據，挖掘數據背後的價值。在物聯網領域，為各種智能設備提供可靠的存儲解決方案，推動物聯網技術的廣泛應用。我國開發出全球最快的半導體電荷存儲技術，不僅是我國科研實力的有力證明，也為全球半導體存儲技術的發展做出了重要貢獻。隨著“破曉”技術的不斷推廣和應用，相信將有力推動我國乃至全球相關科技領域的發展，開啟一個全新的高速存儲時代。消息